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电子元器件详细资料 » IC[20318] » IPBH6N03LA
型号:IPBH6N03LA类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V
电流_连续漏极(Id)0a025000C50A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C6.2 毫欧 @ 50A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222V @ 30µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs19nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds2390pF @ 15V
功率_最大71W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO-263
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市金嘉锐电子有限公司朱先生086-0755-22929859
深圳市晶美隆科技有限公司李林0755- 82519391 0755-83209630
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